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专利摘要显示，本创造公然了一种泛半导体铝合金真空腔体搅拌摩擦焊接造备办法，属于真空镀膜筑设筑造本领范畴。蕴涵如下工艺环节：(1)侧板组装；(2)侧板焊接；(3)侧板加工；(4) 底板组装；(5)底板焊接；(6)底板加工；(7)退火；(8)腔体加工。本创造使得真空腔体焊策应力裁减，普及了呆板加工的精度，低浸了筑造大型腔体时因密封槽有气孔举行返修的也许性。搅拌摩擦焊焊接大型腔体时操作职员能够与腔体维持必然间隔，比拟氩弧焊焊接要加倍安笑，环保无污染，难度更低。
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